根據(jù)Wind數(shù)據(jù)，半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）盤(pán)中流入3300萬(wàn)份，凈流入700萬(wàn)份，資金搶籌布局。

相關(guān)機(jī)構(gòu)表示，近期，長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期正式注冊(cè)成立，若項(xiàng)目正式投產(chǎn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)能將實(shí)現(xiàn)跨越式增長(zhǎng)，計(jì)劃力爭(zhēng)到2026年底占據(jù)全球NAND閃存供應(yīng)量的15%。而在存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)的必然趨勢(shì)下，設(shè)備作為擴(kuò)產(chǎn)的前置環(huán)節(jié)，迎來(lái)重要機(jī)遇窗口。例如，3D堆疊存儲(chǔ)快速發(fā)展，為提升存儲(chǔ)密度，將存儲(chǔ)單元垂直堆疊，目前主流產(chǎn)品已超過(guò)200層，未來(lái)還將向1000層邁進(jìn)，這使得對(duì)刻蝕設(shè)備的需求量和性能要求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，同時(shí)堆疊層數(shù)增加的同時(shí)每層薄膜厚度要求嚴(yán)苛，ALD與CVD協(xié)同工藝成為主流，這都對(duì)薄膜沉積設(shè)備提出了更高要求。

隨著“十五五”規(guī)劃提出，科技自主可控成為重點(diǎn)工作目標(biāo)，國(guó)產(chǎn)算力板塊有望成為市場(chǎng)主線，同時(shí)持續(xù)看好AI浪潮下的存儲(chǔ)周期和消費(fèi)電子的創(chuàng)新周期。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）跟蹤的是半導(dǎo)體材料設(shè)備指數(shù)（931743），該指數(shù)聚焦于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的材料與設(shè)備領(lǐng)域，選取從事半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)以及半導(dǎo)體設(shè)備制造的上市公司證券作為指數(shù)樣本，以反映半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心基礎(chǔ)環(huán)節(jié)的整體表現(xiàn)。作為科技投資的重要風(fēng)向標(biāo)，該指數(shù)具有顯著的技術(shù)壁壘和成長(zhǎng)性特征，能夠有效追蹤半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵支撐領(lǐng)域的發(fā)展動(dòng)態(tài)。

注：如提及個(gè)股僅供參考，不代表投資建議。指數(shù)/基金短期漲跌幅及歷史表現(xiàn)僅供分析參考，不預(yù)示未來(lái)表現(xiàn)。市場(chǎng)觀點(diǎn)隨市場(chǎng)環(huán)境變化而變動(dòng)，不構(gòu)成任何投資建議或承諾。文中提及指數(shù)僅供參考，不構(gòu)成任何投資建議，也不構(gòu)成對(duì)基金業(yè)績(jī)的預(yù)測(cè)和保證。如需購(gòu)買(mǎi)相關(guān)基金產(chǎn)品，請(qǐng)選擇與風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)相匹配的產(chǎn)品?；鹩酗L(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。