每日經(jīng)濟(jì)新聞 2026-02-04 11:18:21
截至2026年2月4日 11點(diǎn)07分,上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌0.95%。成分股方面漲跌互現(xiàn),晶升股份領(lǐng)漲3.01%,京儀裝備上漲0.47%,中微公司上漲0.41%;神工股份領(lǐng)跌4.71%,華海誠科下跌3.50%,富創(chuàng)精密下跌2.84%??苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)下跌0.96%,最新報(bào)價(jià)1.75元。
截至2026年2月4日 11點(diǎn)09分,中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌0.90%。成分股方面漲跌互現(xiàn),晶升股份領(lǐng)漲3.03%,京儀裝備上漲0.74%,拓荊科技上漲0.48%;神工股份領(lǐng)跌4.76%,華海誠科下跌3.41%,富創(chuàng)精密下跌3.19%。半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏(562590)下跌0.74%,最新報(bào)價(jià)1.88元。
流動(dòng)性方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤中換手3.99%,成交3.21億元;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤中換手2.84%,成交7810.62萬元。規(guī)模方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近2周規(guī)模增長5.55億元,實(shí)現(xiàn)顯著增長,新增規(guī)模位居同類第一;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達(dá)27.57億元。
資金流入方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF最新資金凈流出2.27億元。拉長時(shí)間看,近5個(gè)交易日內(nèi)有4日資金凈流入,合計(jì)“吸金”3.89億元,日均凈流入達(dá)7786.37萬元;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流出1.09億元。拉長時(shí)間看,近10個(gè)交易日內(nèi)有7日資金凈流入,合計(jì)“吸金”6474.22萬元,日均凈流入達(dá)647.42萬元。
消息面上,Counterpoint表示,根據(jù)該機(jī)構(gòu)2026年1月存儲(chǔ)價(jià)格追蹤報(bào)告,NAND閃存價(jià)格預(yù)計(jì)將在本季度上漲超過40%。NAND閃存價(jià)格飆升源于各大原廠為了滿足AI服務(wù)器日益增長的NAND需求而削減了消費(fèi)級(jí)產(chǎn)能,此外美光宣布關(guān)閉英睿達(dá)的決策也加劇了市場(chǎng)的焦慮情緒。近期低端128GB PC SSD的成交價(jià)已然上漲了50%。該機(jī)構(gòu)分析師指出,幾大NAND原廠的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃謹(jǐn)慎而緩慢,鎧俠-閃迪的北上Fab 2晶圓廠預(yù)計(jì)將從今年下半年開始對(duì)整體產(chǎn)能產(chǎn)生顯著影響,因此NAND價(jià)格在上半年仍將保持強(qiáng)勢(shì)。
愛建證券指出,AI算力需求持續(xù)爆發(fā),帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備、存儲(chǔ)賽道景氣度上行。ASML 2025年業(yè)績穩(wěn)步增長,EUV光刻機(jī)技術(shù)壁壘顯著;三星電子、SK海力士受益于存儲(chǔ)芯片供需緊張、價(jià)格上漲,并持續(xù)推進(jìn)高端存儲(chǔ)產(chǎn)品研發(fā)。建議關(guān)注國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備及存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈上市公司的投資機(jī)會(huì)。
相關(guān)ETF:公開信息顯示, 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)及其聯(lián)接基金(A類:024417;C類:024418)跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù),囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備(60%)和半導(dǎo)體材料(25%)細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領(lǐng)域,具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性,受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求,擴(kuò)張、科技重組并購浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。
半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏(562590)及其聯(lián)接基金(A類:020356;C類:020357),指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備(63%)、半導(dǎo)體材料(24%)占比靠前,充分聚焦半導(dǎo)體上游。
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