截至2026年2月3日 10:20，上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)強(qiáng)勢(shì)上漲1.96%，成分股歐萊新材上漲7.67%，興福電子上漲6.94%，華峰測(cè)控上漲6.29%，天岳先進(jìn)，華興源創(chuàng)等個(gè)股跟漲?？苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）上漲2.00%，最新價(jià)報(bào)1.74元。

截至2026年2月3日 10:22，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)強(qiáng)勢(shì)上漲2.22%，成分股長(zhǎng)川科技上漲6.19%，華峰測(cè)控上漲5.96%，珂瑪科技上漲3.84%，天岳先進(jìn)，中科飛測(cè)等個(gè)股跟漲。半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）上漲2.29%，最新價(jià)報(bào)1.88元。

流動(dòng)性方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤中換手5.25%，成交4.31億元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤中換手3.68%，成交1.04億元。

規(guī)模方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近2周規(guī)模增長(zhǎng)10.89億元，實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)，新增規(guī)模位居可比基金1/3；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達(dá)27.75億元。

資金凈流入方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近4天獲得連續(xù)資金凈流入，最高單日獲得3.43億元凈流入，合計(jì)“吸金”6.16億元，日均凈流入達(dá)1.54億元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流出5419.15萬(wàn)元。拉長(zhǎng)時(shí)間看，近10個(gè)交易日內(nèi)有8日資金凈流入，合計(jì)“吸金”2.08億元，日均凈流入達(dá)2081.40萬(wàn)元。

消息面上，臺(tái)積電的2nm產(chǎn)能已被全球科技巨頭的訂單全部預(yù)訂完畢。其中，AMD計(jì)劃于2026年開始生產(chǎn)基于2nm工藝的CPU，而谷歌和AWS據(jù)稱分別計(jì)劃于2027年第三季度和第四季度采用該工藝。此外，英偉達(dá)計(jì)劃于2028年推出其“Feynman AI”GPU，預(yù)計(jì)將采用臺(tái)積電的A16工藝，該工藝采用背面供電設(shè)計(jì)。

銀河證券認(rèn)為，AI 正驅(qū)動(dòng)新一輪半導(dǎo)體周期上行，疊加上游原材料銅、金價(jià)格持續(xù)上漲，引發(fā)“半導(dǎo)體通脹”，存儲(chǔ)價(jià)格短期快速上漲，相關(guān)公司業(yè)績(jī)迎來改善。隨著國(guó)產(chǎn)GPU公司陸續(xù)上市，有望帶動(dòng)上游晶圓代工需求。國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)長(zhǎng)鑫科技上市進(jìn)程持續(xù)推進(jìn)，DRAM價(jià)格上漲有望助推公司業(yè)績(jī)高增長(zhǎng)，擴(kuò)產(chǎn)勢(shì)在必行。

相關(guān)ETF：公開信息顯示， 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備（60%）和半導(dǎo)體材料（25%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求，擴(kuò)張、科技重組并購(gòu)浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（63%）、半導(dǎo)體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。