【市場(chǎng)行情】

今日半導(dǎo)體設(shè)備ETF強(qiáng)勢(shì)，盤中漲超5%。

資料來(lái)源：wind

【上漲因素分析】

1、CXKJ招股書落地，存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)預(yù)期明確。2025年12月30日晚間，CXKJ披露招股書，籌劃募資295億元，加上自有資金共計(jì)345億元人民幣，擬投資于存儲(chǔ)晶圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目、DRAM存儲(chǔ)器技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器前瞻技術(shù)研究與開發(fā)項(xiàng)目。疊加今日某龍頭廠商復(fù)牌，帶動(dòng)板塊情緒上漲。

2、路透社消息，中國(guó)要求芯片制造商使用50%國(guó)產(chǎn)設(shè)備。

【后市催化1：存儲(chǔ)板塊催化仍然明確，“漲價(jià)”+“擴(kuò)產(chǎn)”可能持續(xù)演繹】

據(jù)招書信息，CXKJ是我國(guó)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)、布局最全面的DRAM研發(fā)設(shè)計(jì)制造一體化企業(yè)。產(chǎn)品覆蓋DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5/5X等產(chǎn)品，據(jù)Omdia信息，按出貨量口徑，公司已成為中國(guó)第一、全球第四的DRAM廠商。后續(xù)上市進(jìn)程有望持續(xù)推進(jìn)，存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)預(yù)期仍有提升空間。漲價(jià)方面，由于AI需求爆發(fā)擠占了存儲(chǔ)產(chǎn)能，今年以來(lái)，存儲(chǔ)相關(guān)產(chǎn)品漲價(jià)幅度較大。據(jù)第三方數(shù)據(jù)，DRAM（內(nèi)存）與NAND Flash（閃存）現(xiàn)貨價(jià)格自9月起累計(jì)漲幅均超過(guò)300%，第四季度合約價(jià)同比上漲75%，DDR5顆粒單月漲幅甚至突破90%。26Q1存儲(chǔ)漲價(jià)仍可能超出預(yù)期。因目前產(chǎn)能緊缺問題仍未緩解，且需求端AI出貨還在加速。

展望后市，AI GPU或仍將保持較陡峭斜率上漲，疊加AI推理等市場(chǎng)興起，存儲(chǔ)產(chǎn)能緊缺或成為貫穿2026年的投資主線之一，存儲(chǔ)龍頭上市也有望強(qiáng)化存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)預(yù)期。目前存儲(chǔ)3D堆疊趨勢(shì)持續(xù)提升刻蝕、薄膜沉積及配套的量測(cè)等環(huán)節(jié)設(shè)備在產(chǎn)線上價(jià)值量占比，疊加#存儲(chǔ)產(chǎn)線對(duì)國(guó)產(chǎn)化率要求較高，相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭或持續(xù)受益。且由于目前A股尚無(wú)存儲(chǔ)原廠標(biāo)的，更無(wú)相關(guān)的ETF，半導(dǎo)體設(shè)備成為存力景氣投資確定性最強(qiáng)的方向之一。

【后市催化2：光刻機(jī)進(jìn)口數(shù)據(jù)持續(xù)超出預(yù)期】

從近期光刻機(jī)進(jìn)口數(shù)據(jù)看，11月光刻機(jī)進(jìn)口金額為46億元，其中上海進(jìn)口35億。9月以來(lái)，上海光刻機(jī)進(jìn)口開始爆量， 9-11月光刻機(jī)進(jìn)口數(shù)據(jù)分別為62、43和35億元，三個(gè)月合計(jì)進(jìn)口規(guī)模接近2024年全年（150億元），擴(kuò)產(chǎn)需求強(qiáng)烈。除了存儲(chǔ)之外，目前GPU等產(chǎn)品所需的先進(jìn)制程也有較多增量需求，光刻機(jī)數(shù)據(jù)就是良好佐證。

【“存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)+先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)”雙重推動(dòng)，半導(dǎo)體設(shè)備ETF具備【催化明確+估值較低】?jī)纱髢?yōu)勢(shì)】

這一輪存儲(chǔ)甚至半導(dǎo)體設(shè)備的敘事不同于以往的周期復(fù)蘇或國(guó)產(chǎn)替代，而是實(shí)打?qū)嵉氖芤嬗谌駻I驅(qū)動(dòng)的高景氣。無(wú)論是AI算力所需的先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)，還是AI存力推動(dòng)的存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)，半導(dǎo)體設(shè)備都是突破產(chǎn)能瓶頸的核心環(huán)節(jié)。

估值方面，截至12月31日，半導(dǎo)體設(shè)備ETF標(biāo)的指數(shù)PETTM為86.71x，位于上市以來(lái)71.87%分位，估值分位低于現(xiàn)在主流的其他半導(dǎo)體指數(shù)。

資料來(lái)源：wind

當(dāng)前去舊迎新之際，春季躁動(dòng)之時(shí)。元旦后，半導(dǎo)體設(shè)備公司或開始向市場(chǎng)傳遞新一年的訂單指引，加上兩存上市推進(jìn)、存儲(chǔ)漲價(jià)、AI高增等催化重重共振，半導(dǎo)體設(shè)備ETF具備較高性價(jià)比，建議持續(xù)關(guān)注。

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